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碳化硅第三代半導(dǎo)體技術(shù) 文 | 步日欣 內(nèi)容精要：小米快充，激活的是第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN），除了氮化鎵，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化成熟的還有碳化硅（SiC）�！暗锰蓟枵�，得天下”，恰逢國內(nèi)上市公司露笑科技（002617）正在籌劃非公開發(fā)行股票，募投方向正是碳化硅（SiC）晶體材料的產(chǎn)業(yè)化，本文結(jié)合露笑科技電話會(huì)議的內(nèi)容，對(duì)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的技術(shù)和產(chǎn)品，以及露笑科技在碳化硅領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局，進(jìn)行一個(gè)全方位的解讀。 最近二級(jí)市場火熱的第三代半導(dǎo)體，在小米快速充電頭的助力下引爆，在資本市場上引起的波瀾，估計(jì)雷軍也始料未及。因?yàn)樾∶卓斐溆玫氖堑墸?/font>GaN）功率器件，因此大家普遍關(guān)注的是第三代半導(dǎo)體材料之一的氮化鎵。 而第三代半導(dǎo)體已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的，除了氮化鎵（GaN），還有另外一種材料——碳化硅（SiC）。 “得碳化硅者，得天下” 這是品利基金投資經(jīng)理陳啟最早喊出的一句口號(hào)，以碳化硅為襯底材料，碳化硅基碳化硅、碳化硅基氮化鎵，既可以滿足功率器件要求，又可以做射頻器件，一材兩用，足以見得碳化硅材料在第三代半導(dǎo)體中的地位，而且產(chǎn)業(yè)化成熟，未來前景可期。 恰逢國內(nèi)上市公司露笑科技（002617）正在籌劃非公開發(fā)行股票，募投方向正是第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）晶體材料的產(chǎn)業(yè)化。2月23日，上市公司董秘、財(cái)務(wù)總監(jiān)和碳化硅項(xiàng)目負(fù)責(zé)人，還專門就此次增發(fā)和公司碳化硅業(yè)務(wù)，在財(cái)通電新平臺(tái)上向投資者做了解答。 在資本市場爆發(fā)的一周內(nèi)啟動(dòng)增發(fā)，節(jié)奏掌握的夠準(zhǔn)。 本文結(jié)合此次電話會(huì)議內(nèi)容，對(duì)第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的技術(shù)和產(chǎn)品，以及露笑科技在碳化硅領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)布局，進(jìn)行一個(gè)全方位的解讀。 根據(jù)公眾號(hào)“創(chuàng)道咨詢”（FinanceDL）昨天的文章《虛虛實(shí)實(shí)第三代半導(dǎo)體，一文看透幾家上市公司概念》，已經(jīng)對(duì)幾家涉及第三代半導(dǎo)體概念的上市公司做了一個(gè)初步解讀，其中就包括露笑科技。 在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，露笑科技專注的是碳化硅長晶設(shè)備和碳化硅晶體材料。長晶設(shè)備已經(jīng)向合作伙伴供貨，碳化硅晶體材料是此次募投方向。所以露笑科技在碳化硅領(lǐng)域的階段定位為早期，技術(shù)成熟，市場有待開拓。 今天我們就談一談，第三代半導(dǎo)體材料的主角之一， 碳化硅（SiC）。 本文嘗試將碳化硅技術(shù)、產(chǎn)品和市場，以及露笑科技的產(chǎn)業(yè)布局，穿插在一起講，希望能夠更形象一些。為了辨識(shí)度更高，本文黑色字體為碳化硅通識(shí)介紹，藍(lán)色字體為露笑科技相關(guān)介紹。 首先，對(duì)于第三代半導(dǎo)體材料，主要是區(qū)別于一代、二代而言，但基本上都是四族元素（碳、硅、鍺）及其化合物： 第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）、鍺(Ge)為代表；第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）為代表；第三代半導(dǎo)體材料，目前各大廠商摩拳擦掌積極布局的，包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、氮化鋁（AlN）、金剛石（C）等。 zhaojh@kw.beijing.gov.cn這三代半導(dǎo)體，劃分標(biāo)準(zhǔn)主要是按照材料性能指標(biāo)高低及產(chǎn)業(yè)化難易程度，越往高世代，產(chǎn)業(yè)化難度越高，材料性能越優(yōu)異，包括禁帶寬度、導(dǎo)熱率、擊穿電壓等。比如本文要講的碳化硅（SiC），與第一代半導(dǎo)體材料硅（Si）相比，禁帶寬度是硅的3倍、導(dǎo)熱率3倍、擊穿電場9倍、飽和漂移速度2.7倍。 |
