MV,;l94?%=  
芯片分析方法 +'{@Xe}  
失效分析 趙工 P?Fm<s:  
　　1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 45DR%cz  
　　2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein gL-\@4\wc  
　　微焦點(diǎn)Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷.　參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)檢測分辨率＜500納米 ；幾何放大倍數(shù): 2000 倍 最大放大倍數(shù): 10000倍 ；　輻射小: 每小時(shí)低于1 μSv ；電壓: 160 KV, 開放式射線管設(shè)計(jì) <Ky6|&!  
　　防碰撞設(shè)計(jì)；BGA和SMT（QFP）自動(dòng)分析軟件，空隙計(jì)算軟件，通用缺陷自動(dòng)識(shí)別軟件和視頻記錄。這些特點(diǎn)非常適合進(jìn)行各種二維檢測和三維微焦點(diǎn)計(jì)算機(jī)斷層掃描(μCT)應(yīng)用。 .:(N1n'>1  
　　Fein微焦點(diǎn)X射線（德國） \NN5'DBx  
　　Y.COUGAR F/A系列可選配樣品旋轉(zhuǎn)360度和傾斜60度裝置。 lDd8dT-Q.  
　　Y.COUGAR SMT 系列配置140度傾斜軸樣品，選配360度旋轉(zhuǎn)臺(tái) SB<09|2  
　　3 、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸）, 日本電子 G1`H H&  
　　4 、EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點(diǎn)偵測(這三者屬于常用漏電流路徑分析手段,尋找發(fā)熱點(diǎn)，LC要借助探針臺(tái)，示波器） Pp9nilb_(  
　　5 、FIB 線路修改，切線連線，切點(diǎn)觀測，TEM制樣，精密厚度測量等 (qky&}H  
　　6 、Probe Station 探針臺(tái)/Probing Test 探針測試，ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進(jìn)行這兩項(xiàng)可靠度測試，有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗(yàn)）這些已經(jīng)提到了多數(shù)常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程。 7lJs{$ P  
    7 、取die,decap（開封，開帽）,研磨,去金球 De-gold bump,去層,染色等，有些也需要相應(yīng)的儀器機(jī)臺(tái)，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray觀察封裝內(nèi)部情況以及分層失效。 fmv8)$W#U  
　　除了常用手段之外還有其他一些失效分析手段，原子力顯微鏡AFM ,二次離子質(zhì)譜 SIMS,飛行時(shí)間質(zhì)譜TOF － SIMS ,透射電鏡TEM , 場發(fā)射電鏡,場發(fā)射掃描俄歇探針, X 光電子能譜XPS ,L-I-V測試系統(tǒng)，能量損失 X 光微區(qū)分析系統(tǒng)等很多手段，不過這些項(xiàng)目不是很常用。 U(t_uc5q  
芯片失效分析步驟: G"'[dL)N>  
    1、非破壞性分析：主要是超聲波掃描顯微鏡（C-SAM）--看有沒delamination，xray--看內(nèi)部結(jié)構(gòu)，等等； 4\?GA`@  
    2 、電測：主要工具，萬用表，示波器，sony tek370a，現(xiàn)在好象是370b了； Jc74A=sT  
    3 、破壞性分析：機(jī)械decap，化學(xué) decap芯片開封機(jī) 0u7\*Iy  
　　半導(dǎo)體器件芯片失效分析 芯片內(nèi)部分層，孔洞氣泡失效分析 6?X)'  
　　C-SAM的叫法很多有，掃描聲波顯微鏡或聲掃描顯微鏡或掃描聲學(xué)顯微鏡或超聲波掃描顯微鏡(Scanning acoustic microscope）總概c-sam(sat)測試。 |n_es)A  
　　微焦點(diǎn)Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷. 　參數(shù)：標(biāo)準(zhǔn)檢測分辨率＜500納米 ；幾何放大倍數(shù): 2000 倍 最大放大倍數(shù): 10000倍 ；　輻射小: 每小時(shí)低于1 μSv ；電壓: 160 KV, 開放式射線管設(shè)計(jì)防碰撞設(shè)計(jì)；BGA和SMT（QFP）自動(dòng)分析軟件，空隙計(jì)算軟件，通用缺陷自動(dòng)識(shí)別軟件和視頻記錄。這些特點(diǎn)非常適合進(jìn)行各種二維檢測和三維微焦點(diǎn)計(jì)算機(jī)斷層掃描(μCT)應(yīng)用�！　� 1}$GVb%i  
芯片開封機(jī)DECAP主要用于芯片開封驗(yàn)證SAM，XRAY的結(jié)果。
n;5;D  
北京芯片失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹 a!?&8$^<  
IC失效分析實(shí)驗(yàn)室 V.8pxD5s  
北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實(shí)驗(yàn)室于2015年底實(shí)施運(yùn)營，能夠依據(jù)國際、國內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測工作，開展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品，從物理到邏輯全面的檢測工作，提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測服務(wù)，同時(shí)可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象，找出失效原因的失效分析檢測服務(wù)，主要包括點(diǎn)針工作站（Probe Station）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測，缺陷切割觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等檢測試驗(yàn)。實(shí)現(xiàn)對(duì)智能產(chǎn)品質(zhì)量的評(píng)估及分析，為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。