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半導體失效分析驗證

發(fā)布:探針臺 2020-03-24 16:38 閱讀:1846
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芯片失效分析檢測方法匯總 8-@@QZ\N  
失效分析 趙工 <eXGtD  
  1 、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無損檢查:1.材料內(nèi)部的晶格結構,雜質顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 |tAkv  
  2 、X-Ray(這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國Fein '9!_:3[d\]  
  微焦點Xray用途:半導體BGA,線路板等內(nèi)部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)標準檢測分辨率<500納米 ;幾何放大倍數(shù): 2000 倍 最大放大倍數(shù): 10000倍 ; 輻射小: 每小時低于1 μSv ;電壓: 160 KV, 開放式射線管設計 4~Qnhv7  
  防碰撞設計;BGA和SMT(QFP)自動分析軟件,空隙計算軟件,通用缺陷自動識別軟件和視頻記錄。這些特點非常適合進行各種二維檢測和三維微焦點計算機斷層掃描(μCT)應用。 6 rnFXZ\  
  Fein微焦點X射線(德國) =0?5hxM