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半導(dǎo)體失效分析驗證

發(fā)布：探針臺 2020-03-24 16:38 閱讀：1847
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芯片失效分析檢測方法匯總 <"NyC?b+G  
失效分析 趙工 *?b@>_1K  
　　1 、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，無損檢查:１.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)顆粒．夾雜物．沉淀物．2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 09x+Tko9;*  
　　2 、X－Ray（這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段），德國Fein vu>YH)N_h  
　　微焦點Xray用途：半導(dǎo)體BGA，線路板等內(nèi)部位移的分析 ；利于判別空焊，虛焊等BGA焊接缺陷.　參數(shù)：標準檢測分辨率＜500納米 ；幾何放大倍數(shù): 2000 倍 最大放大倍數(shù): 10000倍 ；　輻射小: 每小時低于1 μSv ；電壓: 160 KV, 開放式射線管設(shè)計 |<QI%Y$dr  
　　防碰撞設(shè)計；BGA和SMT（QFP）自動分析軟件，空隙計算軟件，通用缺陷自動識別軟件和視頻記錄。這些特點非常適合進行各種二維檢測和三維微焦點計算機斷層掃描(μCT)應(yīng)用。 I W8.  
　　Fein微焦點X射線（德國） Ix4