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失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié)，無論對于量產(chǎn)樣品還是設(shè)計環(huán)節(jié)亦或是客退品，失效分析可以幫助降低成本，縮短周期。 :sLg$OF  
常見的失效分析方法有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，因為失效分析設(shè)備昂貴，大部分需求單位配不了或配不齊需要的設(shè)備，因此借用外力，使用對外開放的資源，來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準(zhǔn)備的信息有哪些呢？下面為大家整理一下： uV@'898%5  
一、decap：寫清樣品尺寸，數(shù)量，封裝形式，材質(zhì)，開封要求（若在pcb板上，最好提前拆下，pcb板子面較大有突起，會影響對芯片的保護(hù)）后續(xù)試驗。 K7(k_4  
1.IC開封（正面/背面） QFP， QFN， SOT，TO， DIP，BGA，COB等 Q)M-f;O  
2.樣品減�。ㄌ沾�，金屬除外） +F-Y^):  
3.激光打標(biāo) ,,80nW9E  
4.芯片開封（正面/背面） Ygkf}n  
5.IC蝕刻，塑封體去除 %{cVG-<_iz  
二、X-RAY：寫清樣品尺寸，數(shù)量，材質(zhì)（密度大的可以看到，密度小的直接穿透），重點觀察區(qū)域，精度。 h)j#?\KYm9  
1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導(dǎo)體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 -r_\=<(
 
2.觀測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 z j#<X  
3.觀測芯片crack、點膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 O7LJ-M  
缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 V lO^0r^z  
三、IV：寫清管腳數(shù)量，封裝形式，加電方式，電壓電流限制范圍。實驗人員需要提前確認(rèn)搭建適合的分析環(huán)境，若樣品不適合就不用白跑一趟了。 M2d&7>N  
1.Open/Short Test XkoPN]0n  
2.I/V Curve Analysis 6-/W4L)?>  
3.Idd Measuring _LfbEv<,T  
4.Powered Leakage（漏電）Test AW|SD  
四、EMMI：寫清樣品加電方式，電壓電流，是否是裸die，是否已經(jīng)開封，特殊要求等，EMMI是加電測試，可以連接各種源表，確認(rèn)加電要求，若實驗室沒有適合的源表，可以自帶，避免做無用功。 Cc`-34/%  
1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰 _K'Y`w']  
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 upZc~k!1\  
3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) D8PC;@m  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 v3t<rv  
Hot Carriers Effect、ESD等問題 n&|N=zh  
五、FIB：寫清樣品尺寸，材質(zhì)，導(dǎo)電性是否良好，若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺1-3cm左右，太大的樣品放不進(jìn)去，也影像定位，導(dǎo)電性好的樣品分析較快，導(dǎo)電性不好的，需要輔助措施才能較好的分析。切點觀察的，標(biāo)清切點要求。切線連線寫清方案，發(fā)定位文件。 4!xRA