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半導體元器件失效分析流程方法

發(fā)布:探針臺 2020-03-28 12:03 閱讀:1353
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失效分析是我們半導體工程師常用到的分析方式,樣品失效后,通過分析了解原因,提出改進計劃。 Fq5);sX=  
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1.OM 顯微鏡觀測,外觀分析 H\3CvFm  
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2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) j$]t`6gG  
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(1)材料內部的晶格結構,雜質顆粒,夾雜物,沉淀物, =k[!p'~jD  
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(2) 內部裂紋。(3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 ^U_B>0`ch  
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3. X-Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段) 7@Di