半導體元器件失效分析流程方法
發(fā)布:探針臺
2020-03-28 12:03
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B&m?3w uXNf)?MpA 失效分析是我們半導體工程師常用到的分析方式,樣品失效后,通過分析了解原因,提出改進計劃。 Fq5);sX= }m<)$.x|P u0J+Nj9 yf=ek== 1.OM 顯微鏡觀測,外觀分析 H\3CvFm ~QsQ7SAs "A:wWb<m 9CWUhS
NoJo-vo* 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) j$]t`6gG [21tT/ ':!;6v|L (1)材料內部的晶格結構,雜質顆粒,夾雜物,沉淀物, =k[!p'~jD *0R=(Gy ^aZ Wu|p (2) 內部裂紋。(3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 ^U_B>0`ch |"P5%k#6^> o0wep&@ 3. X-Ray 檢測IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段) 7@Di
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