芯片結節(jié)漏電定位技術EMMIEMMI(微光顯微鏡) 對于失效分析而言,微光顯微鏡是一種相當有用,且效率極高的分析工具,主要偵測IC內部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination會放出光子,例如:在PN Junction加偏壓,此時N的電子很容易擴散到P, 而P的空穴也容易擴散至N,然后與P端的空穴做EHP Recombination。 芯片結節(jié)漏電定位技術EMMI 偵測到亮點之情況 會產(chǎn)生亮點的缺陷:1.漏電結;2.解除毛刺;3.熱電子效應;4閂鎖效應; 5氧化層漏電;6多晶硅須;7襯底損失;8.物理損傷等。 偵測不到亮點之情況 不會出現(xiàn)亮點之故障:1.亮點位置被擋到或遮蔽的情形(埋入式的接面及 大面積金屬線底下的漏電位置);2.歐姆接觸;3.金屬互聯(lián)短路;4.表面 反型層;5.硅導電通路等。 點被遮蔽之情況:埋入式的接面及大面積金屬線底下的漏電位置,這種情 況可采用Backside模式,但是只能探測近紅外波段的發(fā)光,且需要減薄及 拋光處理。 測試范圍: |