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芯片失效分析

發(fā)布:探針臺 2020-04-08 16:55 閱讀:1458
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芯片失效分析檢測方法匯總 <R6$ kom`  
失效分析 趙工 p&:(D=pIu  
  1 、C-SAM(超聲波掃描顯微鏡),無損檢查:1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒.夾雜物.沉淀物.2. 內(nèi)部裂紋. 3.分層缺陷.4.空洞,氣泡,空隙等. 德國 ~vVsxC$.  
  2 、X-Ray(這兩者是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性分析手段),德國Fein Dt9[uyP&  
  微焦點Xray用途:半導(dǎo)體BGA,線路板等內(nèi)部位移的分析 ;利于判別空焊,虛焊等BGA焊接缺陷. 參數(shù)標(biāo)準(zhǔn)檢測分辨率<500納米 ;幾何放大倍數(shù): 2000 倍 最大放大倍數(shù): 10000倍 ; 輻射小: 每小時低于1 μSv ;電壓: 160 KV, 開放式射線管設(shè)計 aK%i=6j!  
  防碰撞設(shè)計;BGA和SMT(QFP)自動分析軟件,空隙計算軟件,通用缺陷自動識別軟件和視頻記錄。這些特點非常適合進(jìn)行各種二維檢測和三維微焦點計算機(jī)斷層掃描(μCT)應(yīng)用。 Felu`@b  
  Fein微焦點X射線(德國) kc3dWWPe  
  Y.COUGAR F/A系列可選配樣品旋轉(zhuǎn)360度和傾斜60度裝置。 -L&FguoVB  
  Y.COUGAR SMT 系列配置140度傾斜軸樣品,選配360度旋轉(zhuǎn)臺 <V}^c/c!  
  3 、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀(材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察,元素組成常規(guī)微區(qū)分析,精確測量元器件尺寸), 日本電子 )_bR"!Z  
  4 、EMMI微光顯微鏡/OBIRCH鐳射光束誘發(fā)阻抗值變化測試/LC 液晶熱點偵測(這三者屬于常用漏電流路徑分析手段,尋找發(fā)熱點,LC要借助探針臺,示波器) FE)L?  
  5 、FIB 線路修改,切線連線,切點觀測,TEM制樣,精密厚度測量等 }