聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) RY>BP[h  
一、技術(shù)指標(biāo) v-V#?+#  
1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； IsaL+elq|  
2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式  KKfC^g  
3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) =`8%qh  
4、大束流Sidewinder離子鏡筒； #hA]r.  
5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； V!sT2  
6、離子束束流1.5pA-65nA，15孔光闌。 | JmEI9n2  
* 5H  
二、配置情況 \Bg;^6U  
1、GIS氣體注入：Pt沉積 -|?I'~[#(  
2、ETD SE、T1（筒內(nèi)低位）、T（高位）探頭 u