聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 4/OmgBo'  
一、技術(shù)指標(biāo) }zqo<o  
1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； i*@ZIw  
2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 N%%trlDXD  
3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) E6M*o+Y  
4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 8,(--A  
5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； M{SJ8+G  
6、離子束束流1.5pA-65nA，15孔光闌。 3#y`6e=5  
E<7$!P=z`  
二、配置情況 u"m TS&  
1、GIS氣體注入：Pt沉積 kSEgq<i!  
2、ETD SE、T1（筒內(nèi)低位）、T（高位）探頭 ct<X
KqbI  
3、Nav-camTM：樣品室內(nèi)光學(xué)導(dǎo)航相機(jī) 6C/Pu!Sx?  
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自動拼圖、NanoBuilder納米加工軟件。