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FEI Scios 2 DualBeam應(yīng)用介紹

發(fā)布：探針臺 2020-04-26 15:00 閱讀：1658
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聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) _)yn6M'Dt  
一、技術(shù)指標(biāo) ZC@ 33Q(  
1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； ly7\H3  
2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 ;x$,x-  
3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) /9,!)/j  
4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 93$'PwWgiF  
5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； Q.>@w<[!L  
6、離子束束流1.5pA-65nA，15孔光闌。 Waj6.PCFm  
%# ?)+8"l  
二、配置情況 xqs{d&W  
1、GIS氣體注入：Pt沉積 ) kfA5xi[  
2、ETD SE、T1（筒內(nèi)低位）、T（高位）探頭 [ p$f)'  
3、Nav-camTM：樣品室內(nèi)光學(xué)導(dǎo)航相機(jī) *8M 0h9S$  
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自動拼圖、NanoBuilder納米加工軟件。 <La$'lG4J  
C}<j8a?  
三、適用樣品 f',n '  
半導(dǎo)體、金屬、陶瓷材料微納加工及觀察分析，成分分析 >k"Z'9l  
R?b3G4~  
四、檢測內(nèi)容 Ly"u }e  
1、IC芯片電路修改 { Iy<iV  
2、Cross-Section 截面分析 epI&R)