晶圓處理制程介紹《晶圓處理制程介紹》 基本晶圓處理步驟通常是晶圓先經過適當?shù)那逑矗?/font>Cleaning)之后,送到熱爐管(Furnace)內,在含氧 的環(huán)境中,以加熱氧化(Oxidation)的方式在晶圓的表面形成一層厚約數(shù)百個的二氧化硅(SiO2)層,緊接著厚約1000A到2000A的氮化硅(Si3N4)層將以化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition;CVP)的方式沈積(Deposition)在剛剛長成的二氧化硅上,然后整個晶圓將進行微影(Lithography)的制程,先在晶圓 上上一層光阻(Photoresist),再將光罩上的圖案移轉到光阻上面。接著利用蝕刻(Etching)技術,將部份未 被光阻保護的氮化硅層加以除去,留下的就是所需要的線路圖部份。接著以磷為離子源(Ion Source),對整片晶圓進行磷原子的植入(Ion Implantation),然后再把光阻劑去除(Photoresist Scrip)。制程進行至此,我們已將構成集成電路所需的晶體管及部份的字符線(Word Lines),依光罩所提供的設計圖案 ,依次的在晶圓上建立完成,接著進行金屬化制程(Metallization),制作金屬導線,以便將各個晶體管與組件加以連接,而在每一道步驟加工完后都必須進 行一些電性、或是物理特性量測,以檢驗加工結果是否在規(guī)格內(Inspection and Measurement);如此重復步驟制作第一層、第二層...的電路部份,以 在硅晶圓上制造晶體管等其它電子組件;最后所加工完成的產品會被送到電性測試區(qū)作電性量測。 根據(jù)上述制程之需要,FAB廠內通?煞譃樗拇髤^(qū): 1)黃光 本區(qū)的作用在于利用照相顯微縮小的技術,定義出每一層次所需要的電 路圖,因為采用感光劑易曝光,得在黃色燈光照明區(qū)域內工作,所以叫做「黃光區(qū)」。 微影成像(雕像術;lithography) 決定組件式樣(pattern)尺寸(dimension)以及電路接線(routing) 在黃光室內完成,對溫.濕度維持恒定的要求較其它制程高 一個現(xiàn)代的集成電路(IC)含有百萬個以上的獨立組件,而其尺寸通常在數(shù)微米,在此種尺寸上,并無一合適的機械加工機器可以使用,取而代之的是微電子中使用紫外光的圖案轉換(Patterning),這個過程是使用光學的圖案以及光感應膜來將圖案轉上基板,此種過程稱為 光刻微影(photolithography),此一過程的示意圖說明于下圖 光刻微影技主要在光感應薄膜,稱之為光阻,而光阻必須符合以下五點要求: 1. 光阻與基板面黏著必須良好。 |