帖子
勛章
關(guān)注
任務(wù)
晶圓處理制程介紹 《晶圓處理制程介紹》 基本晶圓處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適當(dāng)?shù)那逑矗?/font>Cleaning）之后，送到熱爐管（Furnace）內(nèi)，在含氧 的環(huán)境中，以加熱氧化（Oxidation）的方式在晶圓的表面形成一層厚約數(shù)百個(gè)的二氧化硅（SiO2）層，緊接著厚約1000A到2000A的氮化硅（Si3N4）層將以化學(xué)氣相沈積（Chemical Vapor Deposition；CVP）的方式沈積（Deposition）在剛剛長(zhǎng)成的二氧化硅上，然后整個(gè)晶圓將進(jìn)行微影（Lithography）的制程，先在晶圓 上上一層光阻（Photoresist），再將光罩上的圖案移轉(zhuǎn)到光阻上面。接著利用蝕刻（Etching）技術(shù)，將部份未 被光阻保護(hù)的氮化硅層加以除去，留下的就是所需要的線路圖部份。接著以磷為離子源（Ion Source），對(duì)整片晶圓進(jìn)行磷原子的植入（Ion Implantation），然后再把光阻劑去除（Photoresist Scrip）。制程進(jìn)行至此，我們已將構(gòu)成集成電路所需的晶體管及部份的字符線（Word Lines），依光罩所提供的設(shè)計(jì)圖案 ，依次的在晶圓上建立完成，接著進(jìn)行金屬化制程（Metallization），制作金屬導(dǎo)線，以便將各個(gè)晶體管與組件加以連接，而在每一道步驟加工完后都必須進(jìn) 行一些電性、或是物理特性量測(cè)，以檢驗(yàn)加工結(jié)果是否在規(guī)格內(nèi)（Inspection and Measurement）；如此重復(fù)步驟制作第一層、第二層．．．的電路部份，以 在硅晶圓上制造晶體管等其它電子組件；最后所加工完成的產(chǎn)品會(huì)被送到電性測(cè)試區(qū)作電性量測(cè)。 根據(jù)上述制程之需要，FAB廠內(nèi)通�？煞譃樗拇髤^(qū)： 1）黃光 本區(qū)的作用在于利用照相顯微縮小的技術(shù)，定義出每一層次所需要的電 路圖，因?yàn)椴捎酶泄鈩┮灼毓�，得在黃色燈光照明區(qū)域內(nèi)工作，所以叫做「黃光區(qū)」。 微影成像(雕像術(shù);lithography) 決定組件式樣(pattern)尺寸(dimension)以及電路接線(routing) 在黃光室內(nèi)完成,對(duì)溫.濕度維持恒定的要求較其它制程高 一個(gè)現(xiàn)代的集成電路（IC）含有百萬個(gè)以上的獨(dú)立組件，而其尺寸通常在數(shù)微米，在此種尺寸上，并無一合適的機(jī)械加工機(jī)器可以使用，取而代之的是微電子中使用紫外光的圖案轉(zhuǎn)換（Patterning），這個(gè)過程是使用光學(xué)的圖案以及光感應(yīng)膜來將圖案轉(zhuǎn)上基板，此種過程稱為 光刻微影（photolithography），此一過程的示意圖說明于下圖 光刻微影技主要在光感應(yīng)薄膜，稱之為光阻，而光阻必須符合以下五點(diǎn)要求： 1. 光阻與基板面黏著必須良好。 2. 在整個(gè)基板上，光阻厚度必須均勻。 3. 在各個(gè)基板上，光阻厚度必須是可預(yù)知的。 4. 光阻必須是感光的，所以才能做圖案轉(zhuǎn)換。 5. 光阻必須不受基板蝕刻溶液的侵蝕。 |
