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芯片測(cè)試術(shù)語解釋

發(fā)布：探針臺(tái) 2020-05-13 16:49 閱讀：1790
芯片測(cè)試術(shù)語解釋CP是把壞的Die挑出來，可以減少封裝和測(cè)試的成本�？梢愿苯拥闹�Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來；檢驗(yàn)封裝的良率。 UnDX .W*2  
現(xiàn)在對(duì)于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。 Y;\@ 5TgQ,  
CP對(duì)整片Wafer的每個(gè)Die來測(cè)試 ZkibfVwe  
而FT則對(duì)封裝好的Chip來測(cè)試。 mJ8EiRSE  
CP  Pass 才會(huì)去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。 JrxQ.,*i  
WAT是Wafer Acceptance Test，對(duì)專門的測(cè)試圖形（test key）的測(cè)試，通過電參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定； C\[:{d  
CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對(duì)一些基本器件參數(shù)的測(cè)試，如vt（閾值電壓），Rdson（導(dǎo)通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測(cè)試機(jī)臺(tái)的電壓和功率不會(huì)很高； ;Gp9 ?