聚焦離子束顯微鏡FIB技術(shù) # K-Q/*  
FIB是利用金屬鎵(Ga, 原子序31)作為離子源。利用加在Extractor的負(fù)電場將鎵原子由針尖端牽引出，形成鎵離子束。離子束透過電透鏡聚焦，經(jīng)過一連串變化孔徑 (Automatic Variable Aperture, AVA)可決定離子束的大小。最后離子束再經(jīng)過第二次聚焦至試片表面。因為鎵原子位于周期表中間的位置，使用它來撞擊其它元素原子所造成的移除效果遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子。因此，可以利用離子束對試片表面進(jìn)行特定圖案的加工。一般SB-FIB可以提供材料切割、沉積金屬、蝕刻金屬和選擇性蝕刻氧化層等功能，達(dá)到電路修補的需求。藉由氣體輔助蝕刻系統(tǒng)的幫助，不但可以提高不同材料的蝕刻選擇比與蝕刻速率，并可直接進(jìn)行特定材料的沉積。目前SB-FIB機臺的輔助蝕刻氣體可應(yīng)用于提高聚合物、金屬(Al & Cu)與氧化物的蝕刻率。而輔助沉積氣體的種類則有鉑 (Pt)，鎢 (W) 與氧化矽 (TEOS)。北京SB-FIB如果結(jié)合場發(fā)射式電子顯微鏡(即Dual Beam FIB, DB-FIB)即可進(jìn)行即時橫截面觀測。 0FW=8hFp,  

圖片:隆起結(jié)構(gòu).jpg

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