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1.概述和背景 K^ \9R Y\sjm]_ Shintech開發(fā)了新功能，尤其對(duì)LC透鏡研究和設(shè)計(jì)很有幫助。 BUyA] [=+ / 【LC透鏡需要thicker cell gap】 U2$T}/@ '%N)(S`O7P LC透鏡有較高的延遲值，超過幾千納米，間隙厚度需要做得更厚來得到更高的阻滯值。 R 0}% sf0U(XYQ^ 【LC材料與電場】 !&[4T#c q3`t0eLZ LC材料響應(yīng)電場，更厚的間隙帶可以產(chǎn)生更高的應(yīng)用電壓，這樣，LC透鏡就要求高電勢(shì)差。 oV W?d]R lV'83  y{JkY\g ]XU#i#;c LC透鏡需要高電勢(shì)差  2-84 G2D<LRWt4 2.高阻膜和頻率 {IWb:p#I] $ 1U%E 有兩種模擬方法，一個(gè)是dynamics，另一種是statics，statics通常用來獲得V-T曲線圖，這里我們需要考慮statics模擬方式中電壓的意義。電壓頻率應(yīng)該為0[HZ]，換句話說，statics是在DC假設(shè)的條件下計(jì)算出來的。 Kq$1lPI
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