據(jù)報道，臺積電沖刺先進制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡稱GAA)技術(shù)。 lZf=#  
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三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。
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臺積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。 ;N;['xcx;  
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臺積電3nm制程預(yù)計明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以此推斷，臺積電2nm推出時間將在2023年到2024年間。 3yp?|>e  
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臺積電今年4月曾表示，3nm仍會沿用FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）技術(shù)，主要考慮是客戶在導(dǎo)入5nm制程后，采用同樣的設(shè)計即可導(dǎo)入3nm制程，可以持續(xù)帶給客戶有成本競爭力、效能表現(xiàn)佳的產(chǎn)品 。 5KI