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臺(tái)積電2nm制程研發(fā)取得突破

發(fā)布：cyqdesign 2020-07-13 20:56 閱讀：2371

據(jù)報(bào)道，臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱GAA)技術(shù)。