上海光機所在ADP晶體缺陷誘導(dǎo)激光損傷機制研究取得新進展
近期,中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機械研究所薄膜光學(xué)實驗室和山東大學(xué)晶體材料國家重點實驗室合作,在ADP晶體缺陷誘導(dǎo)激光損傷行為機制方面取得新進展。相關(guān)成果發(fā)表于《光學(xué)快報》(Optics Express)。 ADP(磷酸二氫銨,NH4H2PO4)晶體是一種性能優(yōu)越的非線性光學(xué)晶體材料,具有比KDP(磷酸二氫鉀,KH2PO4)晶體更大的有效非線性系數(shù)和短波長下更高的激光誘導(dǎo)損傷閾值,能夠?qū)崿F(xiàn)室溫下的非臨界相位匹配四倍頻輸出,為慣性約束聚變研究提供一種潛在的四倍頻輸出打靶材料。在短波長和高功率等極端條件應(yīng)用環(huán)境下,ADP晶體的抗激光誘導(dǎo)損傷特性的研究尤為重要。 |