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三星最新移動內(nèi)存取得突破

發(fā)布:cyqdesign 2020-08-31 11:22 閱讀:1352
三星一向喜歡宣傳自己在內(nèi)存芯片方面的進展,但這一次它取得顯著突破。三星正開始量產(chǎn)16g的LPDDR5移動內(nèi)存芯片,這是有史以來第一個使用極端紫外線光刻技術(shù)制造的內(nèi)存,這種技術(shù)使用激光和光敏化學(xué)物質(zhì)來蝕刻硅。這一突破將為該行業(yè)提供更大的增長空間。 \s'6)_  
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這項突破會轉(zhuǎn)化為一些直接的現(xiàn)實收益。6.4Gbps的帶寬比以前的12千兆的芯片快16%,而16GB的芯片要薄30%。這可能會使手機變得更薄,或為電池相機等部件提供空間。 gHshG;z*  
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