臺(tái)積電2nm制程2024年或?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)
近日,據(jù)相關(guān)媒體稱,臺(tái)積電2nm制程研發(fā)最新進(jìn)展迅速,已取得重大突破,預(yù)計(jì)在2024年可以實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。
據(jù)悉,較之前的芯片設(shè)計(jì)采用的鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構(gòu),此次2nm制程的研發(fā)改采用全新的多橋通道場(chǎng)效晶體管(MBCFET)架構(gòu),此種架構(gòu)能解決FinFET因制程微縮產(chǎn)生電流控制漏電的物理極限問題。目前臺(tái)積電已獲得2nm工藝的芯片工廠所需的土地,地點(diǎn)位于新竹。此外,有消息稱蘋果公司有意臺(tái)積電所研制的2nm芯片,也許在未來iPhone或?qū)⒊蔀榈谝粋(gè)搭載2nm芯片的手機(jī)。 |