二維材料具有原子級(jí)厚度和較高的比表面積，所有原子處于表面，導(dǎo)致其表面對(duì)表面吸附和外界環(huán)境較為敏感。二維半導(dǎo)體材料在電子學(xué)與光電子學(xué)器件領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景，有望成為下一代小型化電子器件的核心材料。為實(shí)現(xiàn)此類應(yīng)用，需要對(duì)材料進(jìn)行剪裁。通過常規(guī)的微納加工技術(shù)，包括光刻和反應(yīng)離子干法刻蝕或化學(xué)溶液濕法腐蝕，可對(duì)其進(jìn)行加工剪裁。然而，在這些加工步驟中，二維材料需要接觸光刻膠、溶劑以及高能離子等，帶來樣品的表面污染及邊界鈍化等問題。在電子學(xué)器件工作過程中，污染物作為電子散射中心，降低了材料的導(dǎo)電性，從而影響器件性能的提升，這種現(xiàn)象對(duì)于二維材料電子器件尤為明顯。因此，實(shí)現(xiàn)大面積二維材料的無污染圖案化剪裁是亟待解決的科學(xué)問題。 ;\DXRKR  
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