近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所信息光學(xué)與光電技術(shù)實(shí)驗(yàn)室在計(jì)算光刻技術(shù)研究方面取得進(jìn)展，提出了一種基于協(xié)方差矩陣自適應(yīng)進(jìn)化策略（Covariance matrix adaptation evolution strategy, CMA-ES）與新型光源表征方法的光源掩模優(yōu)化技術(shù)（Source mask optimization, SMO）。仿真結(jié)果表明該技術(shù)的優(yōu)化性能與收斂效率優(yōu)于國際同類技術(shù)。相關(guān)研究成果已發(fā)表在Optics Express。 u1Slu%^e  
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光刻是極大規(guī)模集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一，光刻分辨率決定了集成電路的特征尺寸。隨著集成電路圖形的特征尺寸不斷減小，光刻系統(tǒng)的衍射受限屬性導(dǎo)致明顯的光學(xué)鄰近效應(yīng)，降低了光刻成像質(zhì)量。在光刻機(jī)軟硬件不變的情況下，采用數(shù)學(xué)模型和軟件算法對照明模式、掩模圖形與工藝參數(shù)等進(jìn)行優(yōu)化，可有效提高光刻分辨率/增大工藝窗口，此類技術(shù)即計(jì)算光刻技術(shù)（Computational Lithography），被認(rèn)為是二十一世紀(jì)推動集成電路芯片按照摩爾定律繼續(xù)發(fā)展的新動力。 M0~%[nX  
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