近期，中國科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院強磁場科學(xué)中心研究員盛志高課題組和中科院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院固體物理研究所、上�？萍即髮W(xué)的研究人員合作，發(fā)明了一種基于強關(guān)聯(lián)氧化物材料的太赫茲寬帶可調(diào)吸收器。 TvS<;0~K  
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太赫茲吸收器在太赫茲電磁屏蔽、太赫茲成像和太赫茲熱敏探測等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣泛，引起學(xué)界關(guān)注。瞄準未來關(guān)鍵領(lǐng)域的應(yīng)用，要求吸收器有較高的吸收率和較大的帶寬、具備主動可調(diào)功能。為實現(xiàn)太赫茲寬帶可調(diào)強吸收，材料研發(fā)與器件結(jié)構(gòu)設(shè)計具有重要意義。 kM[!UOnC!<  
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研究人員選用強關(guān)聯(lián)電子氧化物作為功能層，采用多層介電結(jié)構(gòu)設(shè)計與光控方法（圖a），實現(xiàn)了這一關(guān)聯(lián)電子器件在寬波段范圍的太赫茲光譜性能可調(diào)。所選用的關(guān)聯(lián)電子材料二氧化釩在絕緣體-金屬相變前后，電導(dǎo)率、介電常數(shù)和光學(xué)性質(zhì)會發(fā)生變化；這種相變可被溫度、光和電場調(diào)控，因此，其是太赫茲可調(diào)諧器件較好的候選材料。研究人員利用光控方法，在多層器件中實現(xiàn)了大于74%的調(diào)制深度（圖b）；在特定激光能量條件下，可實現(xiàn)寬帶零反射與接近180°的太赫茲相移（圖c）。通過測試分析，研究人員明確了這種主動太赫茲波譜性能調(diào)控的物理起源。 ^FQn\,  
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