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中科院研發(fā)者回應(yīng)5納米光刻技術(shù)突破ASML壟斷  該論文發(fā)表在《納米快報》（Nano Letters）。圖截自官網(wǎng)ACS官網(wǎng) 消息一經(jīng)發(fā)出，外界一片沸騰，一些媒體稱此技術(shù)可以“突破ASML的壟斷”、“中國芯取得重大進展”，“中國不需要EUV光刻機就能制作出5納米制程的芯片”。 該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導(dǎo)師劉前告訴《財經(jīng)》記者，這是一個誤讀，這一技術(shù)與極紫外光刻技術(shù)是兩回事。 極紫外光刻技術(shù)解決的主要是光源波長的問題，極紫外光刻技術(shù)（Extreme Ultra-violet，簡稱：EUV），是以波長為10-14納米的極紫外光作為光源的光刻技術(shù)。 集成電路線寬是指由特定工藝決定的所能光刻的最小尺寸，也就是我們通常說的“28納米”、“40納米”。 這個尺寸主要由光源波長和數(shù)值孔徑?jīng)Q定，掩模上電路版圖的大小也能影響光刻的尺寸。目前主流的28納米、40納米、65納米線寬制程采用的都是浸潤式微影技術(shù)（波長為134納米）。但到了5納米這樣的先進制程，由于波長限制，浸潤式微影技術(shù)無法滿足更精細的制程需要，這是極紫外光刻機誕生的背景。 而中科院研發(fā)的5納米超高精度激光光刻加工方法的主要用途是制作光掩模，這是集成電路光刻制造中不可缺少的一個部分，也是限制最小線寬的瓶頸之一。目前，國內(nèi)制作的掩模版主要是中低端的，裝備材料和技術(shù)大多來自國外。 劉前對《財經(jīng)》記者說，如果超高精度激光光刻加工技術(shù)能夠用于高精度掩模版的制造，則有望提高我國掩模版的制造水平，對現(xiàn)有光刻機的芯片的線寬縮小也是十分有益的。這一技術(shù)在知識產(chǎn)權(quán)上是完全自主的，成本可能比現(xiàn)在的還低，具有產(chǎn)業(yè)化的前景。 但是，即便這一技術(shù)實現(xiàn)商用化，要突破荷蘭ASML（阿斯麥）（NASDAQ:ASML）在光刻機上的壟斷，還有很多核心技術(shù)需要突破，例如鏡頭的數(shù)值孔徑、光源的波長等。 如果把光刻機想象成一個倒置的投影儀，掩模就相當(dāng)于幻燈片，光源透過掩模，把設(shè)計好的集成電路圖形投影到光感材料上，再經(jīng)蝕刻工藝將這樣的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體芯片上。  示意圖：電路設(shè)計圖首先通過激光寫在光掩模版上，光源通過掩模版照射到附有光刻膠的硅片表面。 通常，每一個掩模版的版圖都不一樣，制作一枚芯片常常需要一套不同的掩模版。掩模版制作要求很高，致使其價格十分昂貴，如一套45納米節(jié)點的CPU的掩模版大概就需要700萬美元。如今，隨著產(chǎn)品的個性化、小批量趨勢，致使掩模版的價格在整個芯片成本中急速飛升。 高端掩模版在國內(nèi)還是一項“卡脖子”技術(shù)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，除了英特爾（NASDAQ:INTC）、三星（PINK:SSNLF）、臺積電（NYSE:TSM）三家能自主制造外，高端掩模版主要被美國的Photronics（NASDAQ:PLAB）、大日本印刷株式會社（DNP）以及日本凸版印刷株式會社（Toppan）（PINK:TOPPY）三家公司壟斷，根據(jù)第三方市場研究機構(gòu)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院的數(shù)據(jù)，這三家公司的市場份額占到全球的82%。  |
