今年7月，在中國(guó)科學(xué)院官網(wǎng)上發(fā)布了一則研究進(jìn)展，中科院蘇州所聯(lián)合國(guó)家納米中心在《納米快報(bào)》（Nano Letters）上發(fā)表了題為《超分辨率激光光刻技術(shù)制備5納米間隙電極和陣列》（5 nm Nano gap Electrodes and Arrays by a Super-resolution Laser Lithography）的研究論文，介紹了該團(tuán)隊(duì)研發(fā)的新型5 納米超高精度激光光刻加工方法。 i5t6$|u:&m  
2Jio_Hk  
dw3Hk$"h  
消息一經(jīng)發(fā)出，外界一片沸騰，一些媒體稱(chēng)此技術(shù)可以“突破ASML的壟斷”、“中國(guó)芯取得重大進(jìn)展”，“中國(guó)不需要EUV光刻機(jī)就能制作出5納米制程的芯片”。 6oNcj_?7?q  
lU%}_!tp3/  
該論文的通訊作者、中科院研究員、博士生導(dǎo)師劉前告訴《財(cái)經(jīng)》記者，這是一個(gè)誤讀，這一技術(shù)與極紫外光刻技術(shù)是兩回事。 pX ^^0  

6e