據(jù)麻省理工新聞報道稱，科學家們已經(jīng)找到了用于制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法，它就是此前被用于高速通信系統(tǒng)的砷化銦鎵（InGaAs）材料。此前該材料給人留下的印象，就是其性能會在較小的尺度下出現(xiàn)滑坡。不過新研究已經(jīng)找到了問題關(guān)鍵，即所謂的氧化物陷阱，該現(xiàn)象會導致電子在流過晶體管時遭遇限制。 PW~cqo B71  
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研究一作 Xiaowei Cai 解釋稱，晶體管應該可以像開關(guān)那樣工作，并在接通電壓后產(chǎn)生預期中的大量電流。 *NX*/(Q  
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但若遭遇電子束縛，就會發(fā)生即使接通了電壓，其中也只有相當有限的電流經(jīng)過的情況。當遇到這種氧化物陷阱時，晶體管的性能就會受到極大的影響。 y.TdWnXx  
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好消息是，通過審視晶體管的頻率依賴性（即電子脈沖通過晶體管的傳輸速率），我們得以找到問題所在。 \?p9qR;"4  
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盡管在較低的頻率下，納米級 InGaAs 晶體管的性能似乎出現(xiàn)了滑坡，但它還是能夠在 1GHz 或更高頻率下正常工作。 :&\E\9  
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