據(jù)麻省理工新聞報(bào)道稱，科學(xué)家們已經(jīng)找到了用于制造更小、更節(jié)能的非硅基晶體管的新方法，它就是此前被用于高速通信系統(tǒng)的砷化銦鎵（InGaAs）材料。此前該材料給人留下的印象，就是其性能會(huì)在較小的尺度下出現(xiàn)滑坡。不過新研究已經(jīng)找到了問題關(guān)鍵，即所謂的氧化物陷阱，該現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致電子在流過晶體管時(shí)遭遇限制。 :jv(-RTI  
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研究一作 Xiaowei Cai 解釋稱，晶體管應(yīng)該可以像開關(guān)那樣工作，并在接通電壓后產(chǎn)生預(yù)期中的大量電流。 }kt%dDU  
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