得益于研究人員的持續(xù)推進(jìn)，碳納米 管器件現(xiàn)在正在越來越接近硅的能力，最新的進(jìn)展也在最近舉辦的IEEE電子器件會議IEDM上揭曉。會上，來自臺積電，加州大學(xué)圣地亞哥分校和斯坦福大學(xué)的工程師介紹了一種新的制造工藝，該工藝可以更好地控制碳納米管晶體管。這種控制對于確保在邏輯電路中充當(dāng)晶體管的晶體管完全關(guān)閉時至關(guān)重要。 N<n8'XDdG  
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近年來，人們對碳納米管晶體管的興趣有所增加，因為它們有可能比硅晶體管更進(jìn)一步縮小尺寸，并提供一種生產(chǎn)電路堆疊層的方法比在硅中做起來容易得多。 5*1#jiq  
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該團(tuán)隊發(fā)明了一種生產(chǎn)更好的柵極電介質(zhì)（gate dielectric）的工藝。那是柵電極和晶體管溝道區(qū)之間的絕緣層。在操作中，柵極處的電壓會在溝道區(qū)中建立電場，從而切斷電流。 tR;{.  
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然而，隨著幾十年來硅晶體管的規(guī)�？s小，由二氧化硅制成的絕緣層必須越來越薄，以便使用較少的電壓來控制電流，從而降低了能耗。最終，絕緣屏障非常薄，以至于電荷實際上可以通過它隧穿，從而帶來電流泄漏并浪費(fèi)能量。 =x#&\ui  
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大約十多年前，硅半導(dǎo)體工業(yè)通過切換到新的介電材料二氧化鉿（hafnium dioxide）解決了這個問題。與先前使用的二氧化硅相比，該材料具有較高的介電常數(shù)（high-k），這意味著相對較厚的高k介電層在電氣上等效于非常薄的氧化硅層。 7_%2xewV|  
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