研究人員提出一種合成高質(zhì)量石墨烯納米帶的新方法
俄羅斯研究人員提出了一種合成高質(zhì)量石墨烯納米帶的新方法,這種材料有望應(yīng)用于柔性電子器件、太陽能電池、發(fā)光二極管、激光器等。 該研究已發(fā)表在《物理化學(xué)期刊C》(Journal of Physical Chemistry C)上。 研究人員表示,他們出了一種合成原子完美納米帶的替代方法。它不僅能在正常的真空和更便宜的鎳襯底下工作,而且由于納米帶被制成多層薄膜,產(chǎn)量也會增加。重要的是,這些都不會影響材料的質(zhì)量。 與目前使用的在貴金屬襯底上自組裝納米帶相比,這項研究采用的化學(xué)氣相沉積方法成本更低,但產(chǎn)量更高。 硅基電子產(chǎn)品正在逐漸接近極限物理。而石墨烯(Graphene)有望突破這一極限。 然而,一旦將石墨烯切割成窄條帶,只要邊緣具有正確的幾何形狀并且沒有結(jié)構(gòu)缺陷,就會獲得半導(dǎo)體特性。這種納米帶已經(jīng)用于實驗晶體管中,具有相當好的特性,這種材料的彈性意味著這種器件可以制成柔性。 獲得石墨烯納米帶的一種更實際的方法不是通過切割石墨烯片或納米管,而是通過一個原子一個原子地生長。這種方法被稱為自下而上合成,與自上而下的合成不同,它產(chǎn)生了結(jié)構(gòu)完美的納米帶。 目前占主導(dǎo)地位的自下而上合成方法,即自組裝法,成本高且難以工業(yè)化生產(chǎn),因此材料科學(xué)家正在尋找替代方法。 |