最近，中國科學(xué)院上海光學(xué)與精細(xì)機(jī)械研究所(SIOM)的研究人員提出了一種新的基于χ(2)非線性光學(xué)技術(shù)的電光系數(shù)測量方法，用于精確測量KH2PO4 (KDP)和K(H1 xDx)2po 4(DKDP)的線性電光系數(shù)。 !=vsY]  
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相關(guān)結(jié)果發(fā)表在2021年1月18日的《光學(xué)快報》(Optics Express)上。 IL&R&8'  
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目前對KDP族晶體電光效應(yīng)的研究和應(yīng)用主要集中在高氘含量的KDP和DKDP上。對于部分氘化的KDP晶體，雖然它們在許多領(lǐng)域都有重要的應(yīng)用，但它們的電光系數(shù)卻鮮有報道。 iF##3H$c  
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同時，現(xiàn)有的電光系數(shù)測量方法主要基于線性光學(xué)效應(yīng)，這就要求激光器在整個測量系統(tǒng)中嚴(yán)格保持偏振的穩(wěn)定性。 l0!`>Xx[b  
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在這項(xiàng)研究中，研究人員提出了一種利用χ(2)非線性光學(xué)技術(shù)的新方法。這個測量只依賴于非線性材料中的非線性過程，其他傳遞過程不會影響。 Ov:U3P?%  
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基于該方法，精確測量了一系列不同氘代KDP晶體的線性電光系數(shù)，給出了不同氘含量的d KDP晶體線性電光系數(shù)的計算公式。 ?6[u\V  
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此外，利用晶體的電光特性可以大大提高輸出四次諧波能量的穩(wěn)定性，為深紫外激光的產(chǎn)生和拓展KDP族晶體在激光技術(shù)和非線性光學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用提供重要參考。