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臺積電3nm工藝進度超前EUV工藝獲突破

發(fā)布:cyqdesign 2021-02-19 15:19 閱讀:852
在ISSCC 2021國際固態(tài)電路會議上,臺積電聯(lián)席CEO劉德音公布了該公司的最新工藝進展情況,指出3nm工藝超過預(yù)期,進度將會提前。不過劉德音沒有公布3nm工藝到底如何超前的,按照他們公布的信息,3nm工藝是今年下半年試產(chǎn),2022年正式量產(chǎn)。 #wXq'yi  
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與三星在3nm節(jié)點激進選擇GAA環(huán)繞柵極晶體工藝不同,臺積電的第一代3nm工藝比較保守,依然使用FinFET晶體管。 r5U[jwP  
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與5nm工藝相比,臺積電3nm工藝的晶體管密度提升70%,速度提升11%,或者功耗降低27%。 F *`*5:7  
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