目前量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是臺(tái)積電、三星的5nm，明年有望量產(chǎn)3nm工藝，再往后的2nm工藝需要全新的技術(shù)，制造難度更高，是大國(guó)爭(zhēng)搶的制高點(diǎn)之一。在先進(jìn)工藝上，目前臺(tái)積電、三星及Intel等幾家實(shí)力強(qiáng)大，日本公司主要是在光刻膠、硅片等材料有較大優(yōu)勢(shì)，但日本也沒(méi)有放棄先進(jìn)工藝上的努力。 =#1iio&  
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據(jù)日本媒體報(bào)道，日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所與中國(guó)臺(tái)灣半導(dǎo)體研究中心（TSRI）等展開(kāi)合作，開(kāi)發(fā)了用于新一代半導(dǎo)體的新型晶體管結(jié)構(gòu)。 hW>@jT"t1C  
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相比其他技術(shù)，該技術(shù)將硅（Si）和鍺（Ge）等不同溝道材料從上下方堆疊、使“n型”和“p型”場(chǎng)效應(yīng)晶體管靠近的名為“CFET”的結(jié)構(gòu)。 b
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報(bào)道稱(chēng)，與此前的晶體管相比，CFET結(jié)構(gòu)的晶體管性能高、面積小，有助于制造2nm以下線(xiàn)寬的新一代半導(dǎo)體。 m+DkO{8F  
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據(jù)悉，這一研究成果發(fā)表于2020年12月在線(xiàn)上舉行的半導(dǎo)體相關(guān)國(guó)際會(huì)議“IEDM2020”。該項(xiàng)新技術(shù)有望在今后約3年里對(duì)民營(yíng)企業(yè)進(jìn)行轉(zhuǎn)讓?zhuān)�正式開(kāi)始商用。 )R{4"&&2  
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