科學家發(fā)現(xiàn)了能提高硅光致發(fā)光的方法
日前,科學家發(fā)現(xiàn)了能提高硅光致發(fā)光(PL)的方法。硅是所有現(xiàn)代電子產(chǎn)品的核心,同時它在光子發(fā)射器和吸收器上的表現(xiàn)非常糟糕。而科學家的這項發(fā)現(xiàn)可能為光子集成電路鋪平道路,提升其性能。這篇論文發(fā)表在《Laser and Photonics Reviews》雜志上。 Skolkovo 科學技術研究所的研究人員,同俄羅斯科學院微結構物理研究所、下諾夫哥羅德羅巴切夫斯基國立大學、ITMO 大學、莫斯科國立羅蒙諾索夫大學和 A.M. Prokhorov 普通物理研究所的研究人員共同合作,發(fā)現(xiàn)了這個新突破。 在近 80 年來,半導體技術的“自然選擇”導致硅成為了芯片的主要材料。大多數(shù)數(shù)字微電路是使用互補金屬氧化物半導體技術(CMOS)創(chuàng)建的。但制造商在進一步提高其性能的道路上遇到了一堵墻:由于 CMOS 電路中元素的高密度而導致的熱量釋放。 |