過去 LED 業(yè)者為了獲利充分的白光 LED 光束,曾經(jīng)開發(fā)大尺寸 LED芯片試圖藉此方式達成預期目標,不過實際上白光 LED 的施加電力持續(xù)超過 1W 以上時光束反而會下降,發(fā)光效率則相對降低 2030 %,換句話說白光 LED 的亮度如果要比傳統(tǒng) LED 大數(shù)倍,消費電力特性希望超越螢光燈的話,就必需先克服下列的四大課題,包括,抑制溫升、確保使用壽命、改善發(fā)光效率,以及發(fā)光特性均等化。 T0]MuIJ).
(5\NB0
Z0l+1iMx
有關溫升問題具體方法是降低封裝的熱阻抗;維持 LED 的使用壽命具體方法,是改善芯片外形、采用小型芯片;改善 LED 的發(fā)光效率具體方法是改善芯片結構、采用小型芯片;至于發(fā)光特性均勻化具體方法是 LED 的改善封裝方法,而這些方法已經(jīng)陸續(xù)被開發(fā)中。 37}D9:#5C
p,"g+ MwP
■解決封裝的散熱問題才是根本方法 4j)tfhwd8
Y))NK'B5
由于增加電力反而會造成封裝的熱阻抗急遽降至 10K/W 以下,因此國外業(yè)者曾經(jīng)開發(fā)耐高溫白光 LED 試圖藉此改善上述問題,然而實際上大功率 LED 的發(fā)熱量卻比小功率 LED 高數(shù)十倍以上,而且溫升還會使發(fā)光效率大幅下跌,即使封裝技術允許高熱量,不過 LED 芯片的接合溫度卻有可能超過容許值,最后業(yè)者終于領悟到解決封裝的散熱問題才是根本方法。 l&?ii68/
:6%Z]tt
有關 LED 的使用壽命,例如改用矽質封裝材料與陶瓷封裝材料,能使 LED 的使用壽命提高一位數(shù),尤其是白光 LED 的發(fā)光頻譜含有波長低于 450nm 短波長光線,傳統(tǒng)環(huán)氧樹脂封裝材料極易被短波長光線破壞,高功率白光 LED 的大光量更加速封裝材料的劣化,根據(jù)業(yè)者測試結果顯示連續(xù)點燈不到一萬小時,高功率白光 LED 的亮度已經(jīng)降低一半以上,根本無法滿足照明光源長壽命的基本要求。 6-O_\Cq8
?IpLf\n-
有關 LED 的發(fā)光效率,改善芯片結構與封裝結構,都可以達到與低功率白光 LED 相同水平,主要原因是電流密度提高 2 倍以上時,不但不容易從大型芯片取出光線,結果反而會造成發(fā)光效率不如低功率白光 LED 的窘境,如果改善芯片的電極構造,理論上就可以解決上述取光問題。 DK}"b}Fvq
43=,yz2Ef
■設法減少熱阻抗、改善散熱問題 o=`C<}
4>J
有關發(fā)光特性均勻性,一般認為只要改善白光 LED 的螢光體材料濃度均勻性與螢光體的制作技術,應該可以克服上述困擾。如上所述提高施加電力的同時,必需設法減少熱阻抗、改善散熱問題,具體內容分別是:降低芯片到封裝的熱阻抗、抑制封裝至印刷電路基板的熱阻抗、提高芯片的散熱順暢性。 ;| 1$Q!4
NVRLrJWpp
為了要降低熱阻抗,許多國外 LED 廠商將 LED 芯片設在銅與陶瓷材料制成的散熱鰭片( heat sink )表面,接著再用焊接方式將印刷電路板上散熱用導線,連接到利用冷卻風扇強制空冷的散熱鰭片上,根據(jù)德國 OSRAM Opto Semiconductors Gmb 實驗結果證實,上述結構的 LED 芯片到焊接點的熱阻抗可以降低 9K/W ,大約是傳統(tǒng) LED 的 1/6 左右,封裝后的 LED 施加 2W 的電力時, LED 芯片的接合溫度比焊接點高 18K ,即使印刷電路板溫度上升到 500C ,接合溫度頂多只有 700C 左右;相較之下以往熱阻抗一旦降低的話, LED 芯片的接合溫度就會受到印刷電路板溫度的影響,如此一來必需設法降低 LED 芯片的溫度,換句話說降低 LED 芯片到焊接點的熱阻抗,可以有效減輕 LED 芯片降溫作業(yè)的負擔。反過來說即使白光 LED 具備抑制熱阻抗的結構,如果熱量無法從封裝傳導到印刷電路板的話, LED 溫度上升的結果發(fā)光效率會急遽下跌,因此松下電工開發(fā)印刷電路板與封裝一體化技術,該公司將 1mm 正方的藍光 LED 以 flip chip 方式封裝在陶瓷基板上,接著再將陶瓷基板粘貼在銅質印刷電路板表面,根據(jù)松下表示包含印刷電路板在內模塊整體的熱阻抗大約是 15K/W 左右。