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GaN 基材料在光電器件中的應用，得到了越來越多人的關注。由于近來 GaN 基發(fā)光二極管的亮度取得了很大的提高，使得 GaN 基發(fā)光二極管在很多領域都取得了應用，例如交通信號燈、移動電話背光、汽車尾燈、短距離通信、光電計算機互聯(lián)等。但是由于非輻射缺陷的作用，使得 GaN 基發(fā)光二極管的內量子效率在室溫時，遠遠小于 100% 。此外，導致 GaN 基發(fā)光二極管外量子效率不高的原因很大程度上在于氮化物外延層和空氣的反射系數(shù)差異較大導致的全反射問題。根據(jù)報道， GaN 和空氣的反射系數(shù)分別是 2.5 和 1 。因此在 InGaN-GaN 活性區(qū)產(chǎn)生的光能夠傳播出去的臨界角約為 23° 。這大大限制了 GaN 基發(fā)光二極管的外量子效率 [1] 。很多人在提高 GaN 基發(fā)光二極管的出光效率方面都做了很多工作，方法也比較多。下面主要介紹一下利用表面粗化的辦法來提高器件的出光效率。 2yNlQ P8%
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