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簡介 ;jI"|v{vnS
);H[lKy 腳本計算了發(fā)光器件與作為發(fā)光層實際輸出的比例。發(fā)光層由厚度為零的層表示，并嵌入在design中代表器件結構。運行開始時，腳本會先確定發(fā)光層。 v *'\w#
Cq;d2u0)o$ 模型 _\PoZ|G4y
e}AJxBE 該物理模型本質(zhì)上是Jung和Hwangbo [1]提出的，但分析思路有所不同。光由偶極子源產(chǎn)生，并假設由兩個相等、傳輸方向相反的平面波組成，但在光源位置處相位嚴格相同。 5N<v'6&= olh3 R.M< 定義右手坐標系x、y、z，且z為薄膜表面法向。假設光從放射層中極薄的子層射出，這避免了薄膜橫向上的所有相位偏移問題。該子層可能包含數(shù)個發(fā)光點，以平面諧波的形式輸出光，有數(shù)種角度分布和某些特定的偏振分布。這樣就解決了基本問題，然后考慮其中一個諧波分量。沿著z軸傳播的出射波分量的電場為ΔE，假設ΔE為x軸正向。出射可以是正向或負向的。ΔH，對應的磁場就確定了，所以ΔE、ΔH 和出射的傳播方向組成了右手系。同時 tta0sJ8 i Nn1^#kc
 (1) *Bsmn!_cB{
:Xh`.*{EX E和H的單位將會歸一化使其等同于列矩陣元素B和C。 rd4'y~#S dvF48,kr 在任一出射介質(zhì)中都沒有入射光，所以計算將從兩個介質(zhì)的輸出開始然后返回到有源層和其中的發(fā)光子層。在子層中，從任一方向計算的場必須與彼此及發(fā)射場連續(xù)，這將確定了兩個路徑的輸出量。計算分為正向發(fā)射和負向發(fā)射，然后將其合并。 l?_!eA q.km>XRk~ 發(fā)光子層的導納記為ye，該層的相位厚度為零。多層結構被發(fā)光層分為a和b部分，b部分在z軸正方向上。在發(fā)光子層中電場用Ba和Bb表示，磁場用Ca和Cb表示，其中B、C和合適的傳播方向形成了常用的右手性質(zhì)。因此Ca為y軸負方向。在a和b區(qū)域分別用乘數(shù)α和β，并篩選這些乘數(shù)以確保連續(xù)性條件。在通常的歸一化情況下，輸出介質(zhì)中的電場是一致的。在這種情況下，它變?yōu)棣梁挺�。定義兩種逸出介質(zhì)的導納為ya和yb。 6FMW g:{ _O9H. _E 對于正向發(fā)射，ΔE沿著x軸，ΔH沿著y軸。連續(xù)性條件為 eH/\7)z
pY#EXZ#
 (2) 2_b'mepV N==_'`O1Q0 后綴p代表正向。負向發(fā)射的ΔE沿著x軸，ΔH沿著y軸負軸。連續(xù)性條件為 qFbUM;
)uu EOF"w
 (3) 8;&S9'ci [=3tAPpzK 后綴n代表負向。該模型是線性的，因此可以通過聯(lián)立B和C的方程(2)和(3)把場結合起來，得 B/kn&^z$|~
UDtbfc7bk
 (4) r ;8z"* h!CX`pBM 可以寫成 i9k]Q(o
y$V)^-U>fw
 (5) ~<OjXuYu |hQ|'VCN 然后解(5)得α和β。 QF/u^|f
1y-lZ}s_
 (6) k|Yv8+XT Mr,y| 輸入功率是正向和負向分量的和，為： MYSc*G ,Ysl$^\
 (7) Cf =q_\0|W
"`*a)'.'^c (ye一般為實數(shù)) 則負向和正向輸出為： m&0BbyE.z A-C)w/7
 (8) Q1\k`J
 (9) HmB[oH "x
^H6d; n
<i\z fa'6 這些結果可直接從薄膜的矩陣表達式推導得到。[1]中結果是從多光束求和得到的，包含了反射相移、透射系數(shù)和反射系數(shù)，但(8)和(9)與[1]完全一致。 vcJb\LW BRXb<M^;_ 傾斜 Bd~cY/M
C2=iZ`Z>T 以上結果均假設為法向入射。如果引入傾斜入射，所有y被合適的傾斜導納η替代，可以得到該情況下的結果。離開多層結構的光線將以適當?shù)娜肷浣嵌葌鞑�，可以通過斯涅耳定律計算得到該角度。實際計算的輻照度是垂直于界面的分量。如果分量在橫向范圍受到限制，那么這些輻照度將轉(zhuǎn)換為總光束功率，無需進一步校正。 /,N!g_"Z p6y0W`U 對話框和輸出 mQ60@_"Y=,
^!p< zZ 一份design文件包含至少一層零厚度層，并指定發(fā)光層，必須在腳本運行前打開。如果有不止一層零厚度層，那么最后一層將被選為反射層。遇到問題時請發(fā)郵件至support@infotek.com.cn。 6
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