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介紹 KDS}"/  
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在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] dLfB){>S  
耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] ~JS B
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錐形耦合器實際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2] oMNSQMlI  
錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。 8CUlE-R5  
選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為光學(xué)緩沖器，并允許與集成電子電路兼容。[2] bs&>QsI?j  

圖片:1.jpg

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