3M;[. b 介紹 D 2U")g}U TTJFF\$? "I)*W8wTn 在高約束
芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是
光柵或錐形耦合器。[1]
jK[~d Y 耦合器由高折射率比
材料組成，是基于具有
納米尺寸尖端的短錐形。[2]
kiW|h)w_,v 錐形耦合器實際上是
光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2]
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錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
DPU%4te 選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為
光學(xué)緩沖器，并允許與集成
電子電路兼容。[2]
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\m>m E/N 要模擬的關(guān)鍵部件是來自參考文獻[1]的線性錐形硅波導(dǎo)（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導(dǎo)中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便達到更快的模擬時間） r[>=iim □ 了精確模擬線性錐形硅波導(dǎo)，錐形的網(wǎng)格尺寸應(yīng)該要設(shè)置密度大一些，因此在這種情況下使用不均勻的網(wǎng)格。 e~Oge □ 光源在時域中設(shè)置為CW（ λ= 1.55 um），在空間域上設(shè)置為高斯橫向分布，并且位于二氧化硅波導(dǎo)的硅紙尖端。 Y7|R vLWoP 注意：模擬時間應(yīng)足夠長，以確保穩(wěn)態(tài)結(jié)果 qoNVp7uv 介紹 Fp)+>o T ileqI/40f
's.cwB: # 在高約束芯片上與亞微米波導(dǎo)上耦合光的兩種主要方法是光柵或錐形耦合器。[1] n/
\{}9 耦合器由高折射率比材料組成，是基于具有納米尺寸尖端的短錐形。[2] l>KkK|!T^i 錐形耦合器實際上是光纖和亞微米波導(dǎo)之間的緊湊模式轉(zhuǎn)換器。[2] ;*3OkNxa3 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。 #~&SkIhBE 選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術(shù)作為納米錐和波導(dǎo)的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為光學(xué)緩沖器，并允許與集成電子電路兼容。[2] -,M*j| 
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