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我公司晶控儀里有一個(gè)最大功率延遲時(shí)間,在材料第4頁。 ~b>nCP8q
它有兩個(gè)作用, 2pxWv
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一是成膜開始后,在此時(shí)間內(nèi),實(shí)際最大功率從預(yù)熔功率線性變化到設(shè)定的最大功率。抑制速率過沖用。 zfP[1
二是成膜開始后,在此時(shí)間內(nèi),如果有負(fù)速率,則丟棄因此產(chǎn)生的負(fù)厚度。正?瓷先ハ窈穸惹辶。在配置參數(shù)里設(shè)置此功能是否使用。用于部分補(bǔ)償溫度等效應(yīng)引起的厚度偏差。 在有離子源輔助時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)作用明顯,厚度一致性會(huì)提高。(這個(gè)丟棄的負(fù)厚度累積值作為內(nèi)部過程參數(shù)會(huì)出現(xiàn)在 探頭與接口界面,每層重新累積。在我公司 MXC-3 晶控儀里,可以在未關(guān)機(jī)的情況下,編程發(fā)串口指令讀取一定層數(shù)的負(fù)厚度記錄,僅作為當(dāng)時(shí)研究之用,沒有對(duì)外公布指令,有興趣的可以聯(lián)系)。 Lt;.Nw
另外,如果我公司晶控儀設(shè)置成計(jì)算機(jī)控制,其將作為單層膜控制器使用,材料1的參數(shù)成為開機(jī)默認(rèn)材料參數(shù)。 ~51kiQW
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但這是客戶計(jì)算機(jī)上的設(shè)置,內(nèi)部什么操作,我并不清楚。