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01 說明 kGN||h X1A<$Am1 本文旨在介紹Ansys Lumerical針對有源光子集成電路中PN耗盡型移相器的仿真分析方法。通過FDE和CHARGE求解器模擬并計算移相器的性能指標（如電容、有效折射率擾動和損耗等），并創(chuàng)建用于INTERCONNECT的緊湊模型，然后將其表征到INTERCONNECT的測試電路中實現(xiàn)，模擬反向偏置電壓對電路中信號相移的影響。 TSL9ax4j {. k)2{  Di=9m HC qJ8-9^E,L 02 綜述 GlR~%q-jiQ ,
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WY  8Ni mZ( Xt,X_o2m|] 這里假設移相器的結(jié)構(gòu)沿光傳播方向是均勻的，因此僅模擬器件的橫截面。我們將演示每個部分的仿真及結(jié)果。
?RD *1 (paf2F`~# 步驟1：電學模擬 ])y{BlZ ^[->
) 利用CHARGE求解器對移相器組件進行電學模擬，獲得電荷載流子的空間分布作為偏置電壓的函數(shù)，并將電荷分布數(shù)據(jù)導出為charge.mat文件。根據(jù)載流子濃度，我們也可以估計器件電容。 oYX{R aW{L7N
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