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綜述 WO*yJ`9] ~\dpD 在本例中,我們將研究混合硅基光電探測(cè)器的各項(xiàng)性能。單行載流子(uni-traveling carrier,UTC)光電探測(cè)器(PD)由InP/InGaAs制成,其通過漸變耦合的方式與硅波導(dǎo)相連。在本次仿真中,F(xiàn)DTD模塊將分析光電探測(cè)器的光學(xué)響應(yīng),CHARGE模塊將分析器件的電學(xué)特性。 oTtmn,
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