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說明 .q"`)PT ^`!5!| 在本例中，我們仿真了使用BaTiO2的鐵電波導(dǎo)調(diào)制器，BaTiO2是一種折射率因外加電場而發(fā)生變化的材料。該器件的結(jié)構(gòu)基于文獻(xiàn)[1]。我們模擬并分析了給定工作頻率下波導(dǎo)調(diào)制器的有效折射率與電壓的關(guān)系。 h}nceH0s3d _
)b:F=4j  9|jk=`4UK I&,gCZ# 背景 i?.MD+f8 b%z4u0 鐵電波導(dǎo)由硅層和玻璃襯底上的BiTiO3（也稱為BTO）層組成。BiTiO3晶體的取向為晶體的[011]方向平行于光傳播方向（y方向），[001]方向沿著z方向。BiTiO3層的頂部的非晶硅可以形成脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，可以限制橫向（x方向）的光分布。金電極觸點被放置在離非晶硅脊波導(dǎo)兩側(cè)1μm遠(yuǎn)的地方。 |kB1>$ gf$5pp-  .BuXg<` w)2X0ev" 在本案例中，我們首先使用CHARGE求解器模擬不同偏置電壓下，波導(dǎo)橫截面上的電場分布。然后，我們根據(jù)對應(yīng)的電場分布變化來計算BiTiO3材料折射率的變化，并模擬分析出不同偏置電壓下波導(dǎo)的有效折射率。 (&np r96f s G!SSRL@ 步驟一：用CHARGE模擬電場分布 _l<e>zj 在建立好模型后，我們將陰極觸點設(shè)置為定值0 V，陽極觸點設(shè)置為掃描模式，掃描范圍為1-5 V，掃描點間隔為0.5 V。 fo;Ftf0 7 ^>UUdk(  &-mPj82R 60c
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