晶圓在加工過程中的形貌及關(guān)鍵尺寸對器件的性能有著重要的影響，而形貌和關(guān)鍵尺寸測量如表面粗糙度、臺(tái)階高度、應(yīng)力及線寬測量等就成為加工前后的步驟。以下總結(jié)了從宏觀到微觀的不同表面測量方法：單種測量手段往往都有著自身的局限性，實(shí)際是往往是多種測量方法配合使用。此外，除表面形貌和臺(tái)階測量外，在晶圓制程中需要進(jìn)行其他測量如缺陷量測、電性量測和線寬量測。通過多種測量方式的配合，才能保證器件的良率和性能。 r[pF^y0   
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半導(dǎo)體晶圓表面形貌的測量可以直接反映晶圓的質(zhì)量和性能。通過對晶圓表面形貌的測量，可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)晶圓制造中的問題，比如晶圓的形貌和關(guān)鍵尺寸測量如表面粗糙度、臺(tái)階高度、應(yīng)力及線寬測量等，這些因素都會(huì)直接影響晶圓制造和電子元器件的質(zhì)量。以下是幾種晶圓表面形貌及臺(tái)階高度的測量方法： $gvr -~  
1、光學(xué)3D表面輪廓儀 o2naVxetE  
SuperViewW系列光學(xué)3D表面輪廓儀以白光干涉掃描技術(shù)為基礎(chǔ)研制而成，以光學(xué)非接觸的掃描方式對樣品表面微觀形貌進(jìn)行檢測。其輪廓尺寸測量功能支持納米級別的臺(tái)階高和微米級別的平面尺寸測量，包含角度、曲率等參數(shù)；可用于半導(dǎo)體減薄片、鍍膜片晶圓IC的粗糙度、微觀輪廓測量。 )R &,'`\  

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針對半導(dǎo)體領(lǐng)域大尺寸測量需求，SuperViewW3型號配備兼容型12英寸真空吸盤，一鍵測量大尺寸微觀三維形貌。 u-:Ic.ZV  

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