晶圓在加工過程中的形貌及關(guān)鍵尺寸對(duì)器件的性能有著重要的影響，而形貌和關(guān)鍵尺寸測(cè)量如表面粗糙度、臺(tái)階高度、應(yīng)力及線寬測(cè)量等就成為加工前后的步驟。以下總結(jié)了從宏觀到微觀的不同表面測(cè)量方法：?jiǎn)畏N測(cè)量手段往往都有著自身的局限性，實(shí)際是往往是多種測(cè)量方法配合使用。此外，除表面形貌和臺(tái)階測(cè)量外，在晶圓制程中需要進(jìn)行其他測(cè)量如缺陷量測(cè)、電性量測(cè)和線寬量測(cè)。通過多種測(cè)量方式的配合，才能保證器件的良率和性能。 EJtU(HmW  

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半導(dǎo)體晶圓表面形貌的測(cè)量可以直接反映晶圓的質(zhì)量和性能。通過對(duì)晶圓表面形貌的測(cè)量，可以及時(shí)發(fā)現(xiàn)晶圓制造中的問題，比如晶圓的形貌和關(guān)鍵尺寸測(cè)量如表面粗糙度、臺(tái)階高度、應(yīng)力及線寬測(cè)量等，這些因素都會(huì)直接影響晶圓制造和電子元器件的質(zhì)量。以下是幾種晶圓表面形貌及臺(tái)階高度的測(cè)量方法： IfXLnD^||  
1、光學(xué)3D表面輪廓儀 =OZ_\vO  
SuperViewW系列光學(xué)3D表面輪廓儀以白光干涉掃描技術(shù)為基礎(chǔ)研制而成，以光學(xué)非接觸的掃描方式對(duì)樣品表面微觀形貌進(jìn)行檢測(cè)。其輪廓尺寸測(cè)量功能支持納米級(jí)別的臺(tái)階高和微米級(jí)別的平面尺寸測(cè)量，包含角度、曲率等參數(shù)；可用于半導(dǎo)體減薄片、鍍膜片晶圓IC的粗糙度、微觀輪廓測(cè)量。 4!}fC
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針對(duì)半導(dǎo)體領(lǐng)域大尺寸測(cè)量需求，SuperViewW3型號(hào)配備兼容型12英寸真空吸盤，一鍵測(cè)量大尺寸微觀三維形貌。  B-gr2-  

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