近日，中科院上海光機(jī)所邵建達(dá)研究員、趙元安研究員團(tuán)隊(duì)，成功研制一種基于波紋結(jié)構(gòu)ITO薄膜（CITO）的可飽和吸收體器件。該器件克服了平面介電常數(shù)近零（ENZ）薄膜中的ENZ 場增強(qiáng)效應(yīng)固有的偏振和角度依賴問題，在0-20°范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了偏振無關(guān)的線性和非線性光學(xué)性能。相關(guān)成果以“A corrugated epsilon-nearzero saturable absorber for a high-performance 1.3 μm solid-state bulk laser”為題發(fā)表于Nanoscale。 r]xdhR5  
9n-RXVL+  
平面ENZ薄膜中的ENZ場增強(qiáng)效應(yīng)可以增強(qiáng)光與物質(zhì)相互作用，產(chǎn)生強(qiáng)的非線性光學(xué)效應(yīng)，減小實(shí)際應(yīng)用的器件尺寸。結(jié)合其寬帶、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）兼容、可集成化、高調(diào)制速度等優(yōu)勢，ENZ薄膜在基于非線性光學(xué)性能的激光器件方面具有重要的應(yīng)用價(jià)值。但ENZ 場增強(qiáng)效應(yīng)具有固有的窄帶、偏振依賴和角度依賴特征，極大地限制了基于ENZ材料的非線性光學(xué)器件的ENZ場增強(qiáng)效應(yīng)有效利用。 $d
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