刻蝕技術(shù)（etching technique），是在半導(dǎo)體工藝，按照掩模圖形或設(shè)計(jì)要求對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)�？涛g技術(shù)不僅是半導(dǎo)體器件和集成電路的基本制造工藝，而且還應(yīng)用于薄膜電路、印刷電路和其他微細(xì)圖形的加工�？涛g還可分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 % S os  
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刻蝕的機(jī)制，按發(fā)生順序可概分為反應(yīng)物接近表面、表面氧化、表面反應(yīng)、生成物離開表面等過程。所以整個(gè)刻蝕，包含反應(yīng)物接近、生成物離開的擴(kuò)散效應(yīng)，以及化學(xué)反應(yīng)兩部分。整個(gè)刻蝕的時(shí)間，等于是擴(kuò)散與化學(xué)反應(yīng)兩部分所費(fèi)時(shí)間的總和。二者之中孰者費(fèi)時(shí)較長(zhǎng)，整個(gè)刻蝕之快慢也卡在該者，故有所謂“reaction limited”與“diffusion limited”兩類刻蝕之分。目前干法刻蝕市場(chǎng)占比90%，濕法刻蝕占比10%，濕法刻蝕一般適用于尺寸較大的情況下（大于3微米）以及用來腐蝕硅片上某些層或用來去除干法刻蝕后的殘留物。其余，生產(chǎn)中大部分采用干法刻蝕。干法刻蝕與濕法腐蝕工藝?yán)�用藥液處理�?span onclick="sendmsg('pw_ajax.php','action=relatetag&tagname=原理',this.id)" style="cursor:pointer;border-bottom: 1px solid #FA891B;" id="rlt_4">原理不同，干法刻蝕在刻蝕表面材料時(shí)，既存在化學(xué)反應(yīng)又存在物理反應(yīng)。因此在刻蝕特性上既表現(xiàn)出化學(xué)的等方性，又表現(xiàn)出物理的異方性。所謂等方性，是指縱橫兩個(gè)方向上均存在刻蝕。而異向性，則指單一縱向上的刻蝕。干法刻蝕用于高精度的圖形轉(zhuǎn)移。目前我國刻蝕工藝以及刻蝕設(shè)備相對(duì)于光刻而言，已經(jīng)能夠達(dá)到世界較為前列的水平。能夠達(dá)到較高的刻蝕選擇性、更好的尺寸控制、低面比例依賴刻蝕和更低的等離子體損傷。