在本
教程項目中，我們計算了帶有摻雜二氧化硅芯的圓柱形
光纖的基本傳播模式。
X@Eq5s (Tp+43v GbUcNROr 磁芯具有相對介電常數(shù)
ϵcore=2.113和直徑
dcore=8.2μm。包層具有相對介電常數(shù)
ϵcladding=2.1025和直徑
dcladding=80μm。我們假定磁場的切向分量在外邊界上消失。我們想在1.5附近找到兩個本征模，這是我們對有效
折射率的最初猜測�；臼纠齪ropagation Mode中給出了輸入
文件所需
參數(shù)的詳細描述。
C&D]!Zv F !_ E E|#`n 下圖顯示了兩個計算本征模的電場的z分量(對數(shù)尺度下)。兩者都屬于相同的有效折射率，屬于雙重簡并。特征值存儲在文件eigenvalues.jcm中。
L]B]~Tw -cyJj LL* /b6Y~YbgU 之后彎曲單模光纖教程會說明如何計算彎曲單模光纖的基本傳播模式。
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