主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個(gè)簡(jiǎn)單的多模
干涉耦合器，主要步驟如下：
]:J$w]\ • 定義MMI耦合器的
材料；
@ f3 E`8 • 定義布局設(shè)定；
63IM]J • 創(chuàng)建一個(gè)MMI耦合器；
R.<g3"Lm> • 插入輸入面；
4{|"7/PE1 • 運(yùn)行
模擬；
Ml-6OvQ7g • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。
Uw<nxD /+ [ub e6 1. 定義MMI耦合器的材料
sK?twg;D*| 為了定義MMI耦合器的材料，需要進(jìn)行如下操作：
q'Pf] 1) 通過File-New打開“初始性能對(duì)話框（Initial Properties）“
bW(0Ng j^RmrOg , 圖1.初始性能對(duì)話框
[j+ sC* 2) 點(diǎn)擊圖1中的“輪廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“輪廓設(shè)計(jì)窗口（Profile Designer）”
O5BYD= 7 _7_Y={4=` 圖2.輪廓設(shè)計(jì)窗口
=>~:<X., 3) 右鍵單擊圖2中材料（Materials）標(biāo)簽下的“電介質(zhì)（Dielectric）“，選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
3F^ Q51:t ")p\q:z6 圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
iuul7VR-% 4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料：
yyTnL 2Y9 − Name : Guide
Q ^^niVz − Refractive Index (Re) : 3.3
&s!@29DXR − 點(diǎn)擊“Store”以保存創(chuàng)建的第一種電解質(zhì)材料并關(guān)閉窗口
Y"$xX8o
