主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個簡單的多模
干涉耦合器，主要步驟如下：
SB5qm?pT8< • 定義MMI耦合器的
材料；
=knLkbiq7, • 定義布局設(shè)定；
'O9Yu{M • 創(chuàng)建一個MMI耦合器；
VkJ TcC:1 • 插入輸入面；
_ Qek|> • 運行
模擬；
h.Sb ds • 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。
3 ,{;wJ
Z qoZAZ&|HI 1. 定義MMI耦合器的材料
K|6}g7&X 為了定義MMI耦合器的材料，需要進(jìn)行如下操作：
[nX{ sM% 1) 通過File-New打開“初始性能對話框（Initial Properties）“
AX i4{Q, ;- Vs|X 圖1.初始性能對話框
# BS! J&a 2) 點擊圖1中的“輪廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“輪廓設(shè)計窗口（Profile Designer）”
pCa~:q*85 EG8z&^O x 圖2.輪廓設(shè)計窗口
~ 7Nqw wx 3) 右鍵單擊圖2中材料（Materials）標(biāo)簽下的“電介質(zhì)（Dielectric）“，選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
B>z^W+Unyn F8{T/YhZ 圖3.電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口
rXip"uz(K> 4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料：
m9j jKu]| − Name : Guide
t=p"nI E − Refractive Index (Re) : 3.3
`ZP[-:
