主要用于介紹如何在OptiBPM中創(chuàng)建一個(gè)簡單的多模干涉耦合器，主要步驟如下： f1s3pr??  
• 定義MMI耦合器的材料； OGW,[k=2{  
• 定義布局設(shè)定； LK\L}<;1V  
• 創(chuàng)建一個(gè)MMI耦合器； |LhVANz  
• 插入輸入面； SO @d\H  
• 運(yùn)行模擬； (iQ< [3C=  
• 在OptiBPM_Analyzer中預(yù)覽模擬結(jié)果。 .8Eh[yiln  
qF'lh  
1. 定義MMI耦合器的材料 3/_rbPr  
為了定義MMI耦合器的材料，需要進(jìn)行如下操作： Q*4{2oQ  
1) 通過File-New打開“初始性能對(duì)話框（Initial Properties）“ +~xY}  
gySCK-(y  
8J|2b; Vf  
2) 點(diǎn)擊圖1中的“輪廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“輪廓設(shè)計(jì)窗口（Profile Designer）” rlxZ,

]ul  
dRj2%Q f  
c12mT(+-  
3) 右鍵單擊圖2中材料（Materials）標(biāo)簽下的“電介質(zhì)（Dielectric）“，選擇New以激活電介質(zhì)材料創(chuàng)建窗口 )Y4;@pEU  
4JQd/;  
FZL"[3  
4) 在圖3中窗口創(chuàng)建第一種電解質(zhì)材料： WH|TdU$V  
− Name : Guide jW]Q-  
− Refractive Index (Re) : 3.3