介紹 iR-MuDM 9g"
1WZ! 在高約束
芯片上與亞微米波導上耦合光的兩種主要方法是
光柵或錐形耦合器。[1]
nU"V@_?\ 耦合器由高折射率比
材料組成，是基于具有
納米尺寸尖端的短錐形。[2]
:j/PtNT@ 錐形耦合器實際上是
光纖和亞微米波導之間的緊湊模式轉換器。[2]
J90q\ _dY. 錐形耦合器可以是線性[1]或拋物線性[2]過渡。
],r?]> 選擇Silicon-on-insulator（SOI）技術作為納米錐和波導的平臺，因為它提供高折射率比，包括二氧化硅層作為
光學緩沖器，并允許與集成
電子電路兼容。[2]
v2<roG6.V 
g%w@v$ [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
>/Z#{;kOz [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
tK&.0)*= LX<c(i 3D FDTD仿真 0D1yG(ck 0y4z`rzTn YBgHX [q 要
模擬的關鍵部件是來自參考文獻[1]的線性錐形硅波導（160 nm至500 nm寬度變化超過100 um長度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波導中（注意：使用的尺寸減小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便達到更快的模擬時間）
4+mawyM 為了精確模擬線性錐形硅波導，錐形的網格尺寸應該要設置密度大一些，因此在這種情況下使用不均勻的網格。
nbYkr*: "t 光源在時域中設置為CW（ = 1.55 um），在空間域上設置為高斯橫向分布，并且位于二氧化硅波導的硅紙尖端。
Fi{~UOZg 注意：模擬時間應足夠長，以確保穩(wěn)態(tài)結果
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